STW20NM50FD
Symbol Micros:
TSTW20NM50FD
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 250 mOhm; 20A; 214W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 250mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,6879 | 3,1013 | 2,7484 | 2,5731 | 2,4749 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
216 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4749 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW20NM50FD
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
315 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4749 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 250mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole