STW26NM50
Symbol Micros:
TSTW26NM50
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 120 mOhm; 30A; 313W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 313W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM50
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7991 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM50
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1500 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,4416 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 313W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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