STW26NM60N
Symbol Micros:
TSTW26NM60N
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 165 mOhm; 20A; 140 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6572 | 2,2833 | 2,0636 | 1,9561 | 1,8977 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
200 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8977 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1530 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8977 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW26NM60N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2902 stk.
| Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8977 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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