STW28NM50N

Symbol Micros: TSTW28NM50N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 158 mOhm; 21A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 158mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW28NM50N RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,5030 2,1548 1,9468 1,8463 1,7878
Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW28NM50N Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7878
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW28NM50N Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
541 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7878
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW28NM50N Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
2730 stk.
Anzahl Stück 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,7878
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 158mOhm
Max. Drainstrom: 21A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT