STW28NM50N
Symbol Micros:
TSTW28NM50N
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 25V; 158 mOhm; 21A; 150 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 158mOhm |
Max. Drainstrom: | 21A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,5030 | 2,1548 | 1,9468 | 1,8463 | 1,7878 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW28NM50N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
90 stk.
Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7878 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW28NM50N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
541 stk.
Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7878 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW28NM50N
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2730 stk.
Anzahl Stück | 90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,7878 |
Widerstand im offenen Kanal: | 158mOhm |
Max. Drainstrom: | 21A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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