STW45NM60

Symbol Micros: TSTW45NM60
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 110mOhm; 45A; 417W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 417W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW45NM60 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
48 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 6,9270 6,3778 6,0413 5,8707 5,7725
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW45NM60 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
510 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 5,7725
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW45NM60 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1524 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 5,7725
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW45NM60 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
3160 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 5,7725
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 45A
Maximaler Leistungsverlust: 417W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: THT