STW45NM60
Symbol Micros:
TSTW45NM60
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 110mOhm; 45A; 417W; -65 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 45A |
Maximaler Leistungsverlust: | 417W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 6,9270 | 6,3778 | 6,0413 | 5,8707 | 5,7725 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW45NM60
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
510 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 5,7725 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW45NM60
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1524 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 5,7725 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW45NM60
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
3160 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 5,7725 |
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 45A |
Maximaler Leistungsverlust: | 417W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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