STW4N150

Symbol Micros: TSTW4N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 1500 V; 30V; 7Ohm; 4A; 160 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,8094 3,3864 3,1340 3,0078 2,9307
Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
510 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,6538
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
18370 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,7247
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW4N150 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
121451 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,8652
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 160W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT