STW5NK100Z

Symbol Micros: TSTW5NK100Z
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 1000V; 30V; 3,7 Ohm; 3,5A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW5NK100Z RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8953 1,4046 1,1989 1,1288 1,1148
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW5NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
11120 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1148
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW5NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
77520 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1148
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW5NK100Z Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
12501 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1148
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,7Ohm
Max. Drainstrom: 3,5A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1000V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT