STW70N60M2
Symbol Micros:
TSTW70N60M2
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 68A |
Maximaler Leistungsverlust: | 450W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 7,8081 | 7,3295 | 7,0328 | 6,8796 | 6,7887 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW70N60M2
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
2140 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 6,7887 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: STW70N60M2
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück | 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 6,7887 |
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 68A |
Maximaler Leistungsverlust: | 450W |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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