STW9N150

Symbol Micros: TSTW9N150
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Transistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 2,5Ohm; 8A; 320W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: STW9N150 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 20+ 50+
Nettopreis (EUR) 10,8582 10,1222 9,9423 9,8114 9,6946
Standard-Verpackung:
5
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO247
Hersteller: STMicroelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 1500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT