SUD23N06-31-GE3
Symbol Micros:
TSUD23N06-31
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Single N-Channel MOSFET 60V 0.031 Ohm 100W
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 31mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 31,25W |
| Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SUD23N06-31-GE3
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3183 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SUD23N06-31-GE3
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3750 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 31mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 31,25W |
| Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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