SUD50N06-09L-E3 Vishay

Name: TSUD50N06-09L TSUD50N06-09L
Brand: Siliconix
SKU: TSUD50N06-09L
Price: 1.0414 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TSUD50N06-09L

Gehäuse: TO252

N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 136W; -55 °C ~ 175 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	136W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SUD50N06-09L-E3 RoHS Gehäuse: TO252t/r

Auf Lager:

45 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	1,7713	1,4028	1,1936	1,0961	1,0414

Widerstand im offenen Kanal:	20mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	136W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD