SUD50P04-09L-E3

Symbol Micros: TSUD50P04-09L-E3 VBS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Transistor P-Channel MOSFET; -40V; +/-20V; 59mOhm; -50A; 136W; -55°C~175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: -50A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: -40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: SUD50P04-09L-E3-VB RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3015 0,9113 0,7734 0,7080 0,6846
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: -50A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: TO252
Hersteller: VBsemi
Max. Drain-Source Spannung: -40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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