SUM110P06-07L

Symbol Micros: TSUM110P06-07l
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Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,9mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM110P06-07L-E3 RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,5820 2,2198 2,0095 1,9043 1,8436
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Standard-Verpackung:
370
Widerstand im offenen Kanal: 6,9mOhm
Max. Drainstrom: 110A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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