SUM90P10-19L-E3
Symbol Micros:
TSUM90P10-19l
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 21mOhm |
Max. Drainstrom: | 90A |
Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3 RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 96+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 3,5487 | 3,1539 | 2,9170 | 2,7997 | 2,7303 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,7303 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
56800 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 2,7303 |
Widerstand im offenen Kanal: | 21mOhm |
Max. Drainstrom: | 90A |
Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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