SUM90P10-19L-E3

Symbol Micros: TSUM90P10-19l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3 RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
Nettopreis (EUR) 3,5487 3,1539 2,9170 2,7997 2,7303
Standard-Verpackung:
96
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,7303
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SUM90P10-19L-E3 Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
56800 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,7303
Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD