SUP57N20-33-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSUP57n20-33
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 93mOhm; 57A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 93mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 93mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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