SUP90P06-09L-E3 Vishay

Symbol Micros: TSUP90p0609l
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
P-MOSFET 60V 90A 9.3mΩ

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 250W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT