TIP122
Symbol Micros:
TTIP122 LGE
Gehäuse: TO220
Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220
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Parameter
| Verlustleistung: | 2W |
| Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gehäuse: | TO220 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 5A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: TIP122 RoHS
Gehäuse: TO220AB
Auf Lager:
506 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4072 | 0,2669 | 0,1909 | 0,1670 | 0,1564 |
| Verlustleistung: | 2W |
| Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Gehäuse: | TO220 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 5A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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