TIP122

Symbol Micros: TTIP122 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220

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Parameter
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: TIP122 RoHS Gehäuse: TO220AB  
Auf Lager:
456 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4188 0,2738 0,1963 0,1717 0,1610
Standard-Verpackung:
50/1000
Verlustleistung: 2W
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN