TIP122
Symbol Micros:
TTIP122 LGE
Gehäuse: TO220
Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220 Transistor: NPN; Bipolar; Darlington; 100V; 5A; 2W; TO220
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Parameter
Verlustleistung: | 2W |
Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Gehäuse: | TO220 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 5A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: TIP122 RoHS
Gehäuse: TO220AB
Auf Lager:
456 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4188 | 0,2738 | 0,1963 | 0,1717 | 0,1610 |
Verlustleistung: | 2W |
Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Gehäuse: | TO220 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 5A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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