TIP141-S

Symbol Micros: TTIP141
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO218
NPN darl. 10A 100V 125W NPN darl. 10A 100V 125W

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Parameter
Verlustleistung: 125W
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO218
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: TIP141G RoHS Gehäuse: TO218 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8504 1,3709 1,1697 1,1018 1,0878
Standard-Verpackung:
30
Verlustleistung: 125W
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO218
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN