TK1K9A60F,S4X(S

Symbol Micros: TTK1k9a60f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS TK1K9A60F,S4X(S

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,9Ohm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK1K9A60F,S4X RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
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10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5725 1,1987 0,9931 0,8692 0,8272
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 1,9Ohm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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