TK3R1A04PL,S4X

Symbol Micros: TTK3r1a04pl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Trans MOSFET N 40V 82A

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,8mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TK3R1A04PL,S4X RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,0563 2,6287 2,3763 2,2548 2,1824
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 3,8mOhm
Max. Drainstrom: 82A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT