TK3R1E04PL,S1X
Symbol Micros:
TTK3r1e04pl
Gehäuse: TO220
Trans MOSFET N 40V 100A
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 87W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Toshiba |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 87W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Toshiba |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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