TN2106K1-G Microchip

Symbol Micros: TTN2106K1-G
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel 60V 280mA (Tj) 360mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: TN2106K1-G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 0,8272 0,6145 0,4533 0,3902 0,3598
Standard-Verpackung:
70
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 280mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD