TN2130K1-G

Symbol Micros: TTN2130k1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 20V; 25Ohm; 85mA; 360mW; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25Ohm
Max. Drainstrom: 85mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Supertex Hersteller-Teilenummer: TN2130K1-G RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5771 0,3201 0,2524 0,2383 0,2311
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 25Ohm
Max. Drainstrom: 85mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 300V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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