TN2510N8-G

Symbol Micros: TTN2510n8
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15Ohm; 730mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 730mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: TN2510N8-G RoHS Gehäuse: SOT89 t/r  
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10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,0889 1,7011 1,4767 1,3693 1,3062
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 730mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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