TP2510N8-G Microchip Tech

Symbol Micros: TTP2510n8
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7Ohm; 480mA; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 480mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: TP2510N8-G RoHS Gehäuse: SOT89 t/r  
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5449 1,1792 0,9752 0,8557 0,8135
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 7Ohm
Max. Drainstrom: 480mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD