TP2510N8-G Microchip Tech
Symbol Micros:
TTP2510n8
Gehäuse: SOT89
P-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7Ohm; 480mA; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
Max. Drainstrom: | 480mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
Gehäuse: | SOT89 |
Hersteller: | MICROCHIP |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Microchip
Hersteller-Teilenummer: TP2510N8-G RoHS
Gehäuse: SOT89 t/r
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,5449 | 1,1792 | 0,9752 | 0,8557 | 0,8135 |
Widerstand im offenen Kanal: | 7Ohm |
Max. Drainstrom: | 480mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
Gehäuse: | SOT89 |
Hersteller: | MICROCHIP |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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