TPH3R203NL,L1Q TOSHIBA

Symbol Micros: TTPH3r203nl
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Gehäuse: VDFN08
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MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS 4-H) 30V 47A

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: VDFN08
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TPH3R203NL,L1Q RoHS Gehäuse: VDFN08 Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8015 0,5024 0,4183 0,3715 0,3482
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 4,7mOhm
Max. Drainstrom: 47A
Maximaler Leistungsverlust: 44W
Gehäuse: VDFN08
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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