TPH4R606NH,L1Q Toshiba

Symbol Micros: TTPH4r606nh
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-MOSFET 60V 32A 1.6W 4.6mΩ

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: TPH4R606NH,L1Q RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
107 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,0889 0,7220 0,5748 0,5281 0,5187
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Standard-Verpackung:
150
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 63W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Toshiba
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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