TSA9N90M TO-3P

Symbol Micros: TTSA9N90M
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 9A; 1,4 Ohm; 30V; 130 W; -55°C~150°C; Äquivalent: 2SK3878;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: TRUESEMI
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: TRUESEMI Hersteller-Teilenummer: TSA9N90M RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
170 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 180+
Nettopreis (EUR) 1,9513 1,4401 1,2241 1,1593 1,1473
Standard-Verpackung:
30/180
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: TRUESEMI
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT