TSM120N06LCR
Symbol Micros:
TTSM120n06lcr
Gehäuse: PDFN56
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 15mOhm; 54A; 69W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM120N06LCR RLG;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 54A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69W |
| Gehäuse: | PDFN56 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCR RLG RoHS
Gehäuse: PDFN56
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6180 | 0,3918 | 0,3078 | 0,2799 | 0,2682 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCR RLG
Gehäuse: PDFN56
Externes Lager:
3350 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4729 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCR RLG
Gehäuse: PDFN56
Externes Lager:
7500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6623 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 15mOhm |
| Max. Drainstrom: | 54A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69W |
| Gehäuse: | PDFN56 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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