TSM120N06LCR

Symbol Micros: TTSM120n06lcr
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Gehäuse: PDFN56
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 54A; 69W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCR RLG

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 54A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: PDFN56
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCR RLG RoHS Gehäuse: PDFN56 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6192 0,3926 0,3084 0,2804 0,2687
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 54A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: PDFN56
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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