TSM120N06LCS

Symbol Micros: TTSM120n06lcs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15mOhm; 23A; 12,5W; -55°C ~ 150°C; TSM120N06LCS RLG

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 12,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCS RLG RoHS Gehäuse: SOP08 Datenblatt
Auf Lager:
43 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 43+ 172+ 731+
Nettopreis (EUR) 0,5701 0,3598 0,2874 0,2594 0,2477
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Standard-Verpackung:
43
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM120N06LCS RLG RoHS Gehäuse: SOP08 Datenblatt
Auf Lager:
7 stk.
Anzahl Stück 2+ 7+ 28+ 105+ 413+
Nettopreis (EUR) 0,5701 0,3879 0,2991 0,2640 0,2477
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Standard-Verpackung:
7
Widerstand im offenen Kanal: 15mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 12,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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