TSM1N60CP
Symbol Micros:
TTSM1n60cp
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 8Ohm; 1A; 50W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM1N60LCP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 50W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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