TSM2301CX JGSEMI
Symbol Micros:
TTSM2301cx JGS
Gehäuse: SOT23
Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 3,6A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: TSM2301CX RFG;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | JGSEMI |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 120mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | JGSEMI |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 125°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Montage: | SMD |
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