TSM2306CX RFG
Symbol Micros:
TTSM2306cx
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 94mOhm; 3,5A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 94mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2306CX RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2777 | 0,1470 | 0,1139 | 0,1053 | 0,1008 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2306CX RFG
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
18600 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1768 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2306CX RFG
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
36000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1008 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 94mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,25W |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | TAI-SEM |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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