TSM2307CX

Symbol Micros: TTSM2307cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -50°C ~ 150°C; TSM2307CX RFG

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2307CX RFG RoHS 07.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5701 0,3575 0,2968 0,2640 0,2477
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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