TSM2309CX
Symbol Micros:
TTSM2309cx
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 3,1A; 1,56W; -50°C ~ 150°C; TSM2309CX RFG
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 240mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,56W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -50°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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