TSM230N06CP

Symbol Micros: TTSM230n06cp
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; TSM230N06CP ROG

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Hersteller-Teilenummer: TSM230N06CP ROG RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK)  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8926 0,6566 0,5257 0,4510 0,4253
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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