TSM230N06CP

Symbol Micros: TTSM230n06cp

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM230N06CP ROG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	28mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	53W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM230N06CP ROG RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9084	0,6655	0,5348	0,4577	0,4320

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM230N06CP ROG Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

1025 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4320

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM230N06CP ROG Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

20000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4320

Widerstand im offenen Kanal:	28mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	53W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD