TSM2318CX Taiwan Semi

Symbol Micros: TTSM2318cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mΩ

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 62,5mOhm
Max. Drainstrom: 3,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2318CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3014 0,1603 0,1243 0,1147 0,1098
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 62,5mOhm
Max. Drainstrom: 3,9A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD