TSM250N02CX RFG

Symbol Micros: TTSM250n02cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM250N02CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2710 0,1481 0,0972 0,0876 0,0773
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 5,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Montage: SMD

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