TSM2N60SCW RPG

Symbol Micros: TTSM2n60scw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 5Ohm; 600mA; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2N60SCW RPG RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5539 0,3319 0,2781 0,2384 0,2213
Standard-Verpackung:
25
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2N60SCW RPG Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
350 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2922
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD