TSM2N60SCW RPG

Symbol Micros: TTSM2n60scw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.6A T/R

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2N60SCW RPG RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5538 0,3318 0,2781 0,2383 0,2213
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 600mA
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: SMD

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