TSM2N60SCW RPG
Symbol Micros:
TTSM2n60scw
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 5Ohm; 600mA; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
Max. Drainstrom: | 600mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2N60SCW RPG RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 25+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5539 | 0,3319 | 0,2781 | 0,2384 | 0,2213 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM2N60SCW RPG
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
350 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2922 |
Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
Max. Drainstrom: | 600mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
Gehäuse: | SOT223 |
Hersteller: | TAI-SEM |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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