TSM2NB60CP ROG

Name: TTSM2nb60cp TTSM2nb60cp
Brand: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
SKU: TTSM2nb60cp
Price: 0.2571 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TTSM2nb60cp

Gehäuse: DPAK

N-MOSFET-Transistor; 600V; 30V; 4,4 Ohm; 2A; 44W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,4Ohm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2NB60CP ROG RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	25+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5913	0,3716	0,3155	0,2734	0,2571

Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM2NB60CP ROG Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

6050 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3101

Widerstand im offenen Kanal:	4,4Ohm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	44W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD