TSM320N03CX

Symbol Micros: TTSM320n03cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM320N03CX RFG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM320N03CX RoHS Gehäuse: SOT23 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2875 0,1521 0,1180 0,1089 0,1042
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM320N03CX RFG Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
6600 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1118
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD