TSM3401CX RFG

Symbol Micros: TTSM3401cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
P-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 90mOhm; 3A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM3401CX RFG RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2945 0,1561 0,1211 0,1117 0,1070
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM3401CX RFG Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
11700 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3443
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD