TSM35N10CP

Symbol Micros: TTSM35n10cp
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 42mOhm; 32A; 83,3W; -55°C ~ 150°C; TSM35N10CP ROG

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 83,3W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM35N10CP RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2384 0,9463 0,7828 0,6870 0,6519
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 42mOhm
Max. Drainstrom: 32A
Maximaler Leistungsverlust: 83,3W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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