TSM480P06CP

Symbol Micros: TTSM480p06cp
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 65mOhm; 20A; 40W; -50°C ~ 150°C; TSM480P06CP ROG

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM480P06CP ROG RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8786 0,5842 0,4837 0,4369 0,4183
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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