TSM4936DCS

Symbol Micros: TTSM4936dcs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 53mOhm; 5,9A; 3W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: TSM4936DCS RLG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 53mOhm
Max. Drainstrom: 5,9A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM4936DCS RLG RoHS Gehäuse: SOP08 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5628 0,3409 0,2615 0,2359 0,2249
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM4936DCS RLG Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
2450 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2909
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 53mOhm
Max. Drainstrom: 5,9A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD