TSM650P03CX

Symbol Micros: TTSM650p03cx
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Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,1A; 1,56W; -55°C ~ 150°C; TSM650P03CX RFG

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM650P03CX RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2781 0,1526 0,1000 0,0902 0,0797
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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