TSM680P06CP
Symbol Micros:
TTSM680p06cp
Gehäuse: TO252 (DPACK)
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252 TSM680P06CP ROG; TSM680P06CP-ROG;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 68mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
Gehäuse: | TO-252 |
Hersteller: | Taiwan Semiconductor |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM680P06CP RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8928 | 0,5936 | 0,4908 | 0,4440 | 0,4253 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM680P06CP ROG
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
6675 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4253 |
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Hersteller-Teilenummer: TSM680P06CP ROG
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
7500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4253 |
Widerstand im offenen Kanal: | 68mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
Gehäuse: | TO-252 |
Hersteller: | Taiwan Semiconductor |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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