TSM850N06CX

Symbol Micros: TTSM850n06cx
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; TSM850N06CX RFG

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Taiwan Semiconductor Co., Ltd. Hersteller-Teilenummer: TSM850N06CX RPG RoHS Gehäuse: SOT23 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2547 0,1351 0,1047 0,0965 0,0925
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 100mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: TAI-SEM
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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