UJ3C120040K3S UnitedSiC

Symbol Micros: TUJ3C120040k3s
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Gehäuse: TO247
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N-JFET/N-MOSFET-Transistor; 1200V; 25V; 73mOhm; 65A; 429W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: UJ3C120040K3S/SAMPLE;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 73mOhm
Max. Drainstrom: 65A
Maximaler Leistungsverlust: 429W
Gehäuse: TO247
Hersteller: UnitedSiC
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET
Hersteller: USCi Hersteller-Teilenummer: UJ3C120040K3S RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 15+ 30+
Nettopreis (EUR) 36,9517 31,0243 29,4720 28,7428 27,7784
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Standard-Verpackung:
5
Widerstand im offenen Kanal: 73mOhm
Max. Drainstrom: 65A
Maximaler Leistungsverlust: 429W
Gehäuse: TO247
Hersteller: UnitedSiC
Max. Drain-Source Spannung: 1200V
Transistor-Typ: N-JFET/N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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