UM8516
Symbol Micros:
TUM8516
Gehäuse: SOT23-6
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 4A; 700mW; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 75mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | SOT23-6 |
Hersteller: | Union Semiconductor |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 75mOhm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | SOT23-6 |
Hersteller: | Union Semiconductor |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Montage: | SMD |
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