UM8516

Symbol Micros: TUM8516
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-6
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 75 mOhm; 4A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: Union Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UNION Hersteller-Teilenummer: UM8516 RoHS Gehäuse: SOT23-6/t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2898 0,1589 0,1042 0,0939 0,0830
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23-6
Hersteller: Union Semiconductor
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole